500 МГц потужного подвійного ядра, 512 МБ пам'яті DDR3;

Мінімальний цикл управління 5ms, типове застосування 20ms;

потужні функції управління;

Контроль швидкості обертання, контроль потужності, контроль тиску помпу, контроль тиску головної пари, OPC、CCS、 симуляція, управління мережею тощо;

різноманітні функції IO;

SY8100: 24 DI, 16 DO, 16 AI, 4 AO, 3 швидкості обертання, 2 LVDT, 1 сервовий вихід;

SY8100C: 24 DI, 16 DO, 16 AI, 4 AO, 3 швидкості обертання, 3 LVDT, 2 сервових виходів;

гнучко налаштовані функції зв'язку;

досконалі функції самодіагностики;

Більше двох десятиліть алгоритмів управління кристалізацією інтелекту;

Безшовна сумісність NT6000;

EMC 4 рівня продуктивності, плата 3 рівня захисту обробки.